據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)，于2025年09月10日報(bào)道，9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。屆時(shí)，云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司技術(shù)副總經(jīng)理韋華將受邀出席論壇，并帶來《VGF法磷化銦熱場優(yōu)化控制對單晶缺陷形成的影響》的主題報(bào)告，敬請關(guān)注！
嘉賓簡介
韋華，在讀博士、高級工程師。云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司技術(shù)副總經(jīng)理，2021年獲昆明市“春城計(jì)劃”高層次青年引進(jìn)人才。研究領(lǐng)域主要為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶生長、晶片加工、檢測測試，主要包括單晶生長熱場模擬、缺陷抑制、亞表面損傷層研究等。主持或參與省市級項(xiàng)目5項(xiàng)，發(fā)表論文10余篇，申請專利25項(xiàng)，主持參與制修訂團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)。解決了國產(chǎn)高純銦、國產(chǎn)高純磷自主合成磷化銦多晶關(guān)鍵技術(shù)，φ4.5-6英寸磷化銦單晶生長關(guān)鍵技術(shù)，VGF+VB聯(lián)動(dòng)法動(dòng)磷化銦新長晶技術(shù)，磷化銦單晶智能自適應(yīng)控溫技術(shù)，磷化銦自動(dòng)清洗新技術(shù)，推動(dòng)高品質(zhì)磷化銦國產(chǎn)化替代，實(shí)現(xiàn)加快光電半導(dǎo)體戰(zhàn)略材料自主可控進(jìn)程。
單位簡介
云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司，是一家專業(yè)從事砷化鎵、磷化銦等光電半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)，是我國著名的III-V族化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商和供應(yīng)商，是國內(nèi)唯一一家華為戰(zhàn)略投資入股的砷化鎵、磷化銦生產(chǎn)企業(yè)，擁有III-V族高端光電半導(dǎo)體材料研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，掌握砷化鎵、磷化銦從單晶生長、晶片加工、測試檢驗(yàn)完整的關(guān)鍵技術(shù)和核心工藝。公司擁有專利69項(xiàng)；先后承擔(dān)國家級、省部級項(xiàng)目10余項(xiàng)；主持或參與制修訂標(biāo)準(zhǔn)5項(xiàng)，軟著3項(xiàng)。2021年獲國家級“專精特新”重點(diǎn)小巨人、“國家級綠色工廠”、云南省制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)等榮譽(yù)，2024年度獲智能制造100強(qiáng)企業(yè)。
報(bào)告前瞻
報(bào)告題目：VGF法磷化銦熱場優(yōu)化控制對單晶缺陷形成的影響
報(bào)告摘要：針對高端光電子和微電子器件用高品質(zhì)InP晶片存在的位錯(cuò)、孿晶等缺陷問題，借助CGSIM數(shù)值正交模擬，研究獲得VGF熱場軸向/徑向溫度分布、熱流/溶體流動(dòng)、固液界面形狀與位錯(cuò)及應(yīng)力分布的影響規(guī)律。軸向溫度梯度、生長速率為顯著影響因素，籽晶熔接及轉(zhuǎn)肩階段存在較大的位錯(cuò)及應(yīng)力分布，增大籽晶及PBN坩堝錐部導(dǎo)熱可顯著優(yōu)化固液界面。摻S型晶體位錯(cuò)由熱應(yīng)力驅(qū)動(dòng)，摻Fe型晶體的高位錯(cuò)由Fe析出物誘發(fā)；通過VGF+VB聯(lián)動(dòng)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)熱應(yīng)力驅(qū)動(dòng)下的位錯(cuò)抑制。固液界面小平面局部過冷是孿晶形核的主要驅(qū)動(dòng)力，通過坩堝錐角優(yōu)化、自適應(yīng)精確控溫算法可工程實(shí)現(xiàn)降低應(yīng)力波動(dòng)，進(jìn)而抑制孿晶，實(shí)現(xiàn)低成本、低缺陷、高均勻性VGF-InP單晶生長技術(shù)。
